Samsung обявява UFS 4.0 флаш съхранение с двойна честотна лента – таблети и телефони – новини

Samsung работи върху UFS 4.0 флаш памет, която е подобрена версия на UFS 3.1 флаш памет, която сега се използва в смартфони. UFS 4.0 може да чете последователно до 4200 MB/s и да записва последователно до 2800 MB/s, като и двете са кратни на 3.1.

UFS 4.0 използва 7-мо поколение v-nand на Samsung и собствен контролер. Samsung Полупроводников клон пише Относно удвояването на честотната лента на линия Той казва, че 4.0 може да се справи с до 23,2 Gbit/s на лента. От компанията казват, че това място за съхранение е подходящо не само за смартфони, но и за автомобилната индустрия, приложенията за добавена реалност и виртуална реалност.

Освен че е по-бърз, новият чип за съхранение е и по-ефективен, според Samsung. Компанията говори за скорост на последователно четене от 6MB/s на милиампер. Това е 46% подобрение спрямо UFS 3.1.

UFS 4.0 се предлага в различни размери до 1TB и съхранение до 11x13x1mm. UFS 3.1 е Винаги с размери 11,5×13 мм и макс. 1,72 мм. Samsung казва, че UFS 4.0 вече е одобрен от Jedec и очаква масовото производство да започне през третото тримесечие на тази година. Не е известно в кои смартфони ще се появи UFS 4.0. Samsung използва пространството за съхранение в собствените си телефони и също така го доставя на производители на смартфони трети страни.

READ  Warhammer 40,000 получава ретро шутър в стил DOOM и класическа ролева игра - Игри - Новини

Вашият коментар

Вашият имейл адрес няма да бъде публикуван.